供应邦得凌900系列负型光刻胶

深圳市邦得凌触控显示技术有限公司的Brthrper-NP-900系列负型光刻胶是一种丙烯酸共聚物树脂型、近紫外线曝光的光刻胶。

分别适用于制造超厚（50-200um）和中厚（10-50um）MEMS微结构，以及普通膜（0.3-10um）的各种挖洞、字符等型貌的光刻线条；适合i、G线，X-Ray，E-beam曝光。具有好的热稳定性、抗刻蚀性、高分辨率、高深宽等特点。对近紫外350~400nm波段曝光最为敏感。即使在非常厚的光刻胶曝光情况下，曝光均匀一致，可得到具有Profile垂直侧壁和的厚膜图形。

Brthrper-NP-900系列负型光刻胶的特性
1）厚度范围，单层涂胶厚度为 0.3um to 200 um
2）50um以上厚度光刻图型高深宽比可达：10:1
3）适用于旋涂工艺涂布，比自流平式后膜光刻胶工艺制程效率更高；
4）表面平整度高，50-100um膜厚在8吋晶元面积平均膜厚误差≤5%
5）可靠性高，后烘坚膜后可作为芯片倒封装以及chiplet封装支撑胶
应用：MEMS，激光芯片，钝化层应用LED微流倒封装以及光传感器干法蚀刻制作  
其中，Brthrper-NP-901A用于制作0.3-10um厚度图型：



Brthrper-NP-931A用于制作10-50um厚度图型：



Brthrper-NP-901A光刻胶工艺参数推荐：
1.涂胶 500-1500rpm/10s
2.前烘 90℃/4min
3.曝光 150mj/cm2     
4.显影 60s/27-30℃；显影液：1：99/AMPHBAL2001
5.后烘 120－200℃/30-60min

Brthrper-NP-931A光刻胶工艺参数推荐：
1.涂胶 800-3000rpm/10s
2.前烘 110℃/4min
3.曝光 200mj/cm2     
4.显影 120s/27-30℃；显影液：1：99/AMPHBAL2001
5.后烘 180－230℃/30-60min

Brthrper-NP-951A光刻工艺参数推荐：
1.涂胶 3000-5000rpm/10s
2.前烘 110℃/4min
3.曝光 200mj/cm2     
4.显影 150-180s/27-30℃；显影液：1：99/AMPHBAL2001
5.后烘 200－230℃/30-60min

成膜物化参数



三、包装及贮存

包装：3.8L洁净加仑桶，加不透光包装袋
贮存：密封后于0-5摄氏度保存；贮运中避免日晒、雨淋、泄露
保质期：3个月 

深圳邦得凌公司于2018年11月成立，由国内最早开发触控显示领域用光阻剂的专业团队，并吸收日本特种感光高分子功能材料技术而来。

公司核心团队从事各类负型光刻胶/光阻剂（Nagtive Photo Rresist）及相应纳米复合材料开发十多年，拥有对该类材料的丰富定制化经验。并对负型类光刻胶与光刻制程之间的工艺衔接关系把握准确。

本公司除了可以为光刻器件用户提供优质的光刻胶，还是国内唯一拥有负型光刻胶用黄光树脂（Binder Polymer）量产化技术的高分子材料设计与开发团队。

此外，公司还有精细化学合成能力，已经成功开发出140余种中间体用于OLED和有机太阳能用有机半导体材料。