半导体组件故障分析 磊晶及薄膜 奈米级结构 宜特公司

双束聚焦离子束样品制备(Dual-beam FIB)

iST宜特建置业界相当高阶FEI Helios 450S机台及FEI Helios 600机台，采三班制24小时运作，提供客户快速交期的高质量服务。

Dual-beam FIB机台能在以离子束切割样品时，同时用电子束对断面进行观察。宜特所建置的业界特高阶机台，具备超高分辨率的离子束及电子束。能针对样品中的微细结构进行奈米尺度的定位及观察，大幅提升失效分析及TEM样品制备的成功率与影像质量。

iST宜特建置之聚焦离子束与电子束双束系统，其硬件基本规格如下：

• 机型 : FEI Helios Series

• Sample dimension: 75 – 150mm

• Specimen stage: 5 - axis motorized stage

• Working distance: ~4mm 

双束型聚焦离子束显微镜的应用，主要以下列所述为主：

• 半导体组件故障分析(能力可达20nm高阶制程) 

• 半导体生产线制程异常分析

• 磊晶与薄膜结构分析

• 电位对比测试

• 穿透式电子显微镜试片制作

• 奈米级结构制作 

  

  

  

关于宜特：

iST始创于1994年的台湾，主要以提供集成电路行业可靠性验证、失效分析、材料分析、无线认证等技术服务。2002年进驻上海，全球现已有7座实验室12个服务据点，目前已然成为深具影响力之芯片验证第三方实验室。