深圳威固特硅片超声波清洗机

   随着许多行业重视“清洗、环保”，其中，硅片清洗是半导器件制造中最重要、最频繁的步骤之一，而且其清洗效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。如此一看，清洗与环保能与早已闻名如世的“超声波清洗机”做配合 天衣无缝的配合完全可以以“硅片超声波清洗机”做一个完美的定格！这样的关键在于清除硅片表面的污染杂质、有机物和无机物、表面的微粒和有害膜层。这样的目的洁净度是可以达到很高、很理想的。 
 

   十全十美的事物不在话下；百分之百的机会也不在一时之间；而是勇于抓取其中之一的机会，哪怕是0.99％的机遇。所以，硅片超声波清洗机主要抓取了本身仅存在的优势：“物理清洗和化学清洗”————物理清洗分为三种：

①刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。 
 

②高压清洗：是用液体喷射片子表面，喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用，片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用，靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。 
 

③超声波清洗：超声波声能传入溶液,靠气蚀作用洗掉片子上的污染。但是,从有图形的片子上除去小于 1微米颗粒则比较困难。将频率提高到超高频频段，清洗效果更好。 
 

   化学清洗————是为了除去原子、离子不可见的污染,方法较多,有溶剂萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中双氧水体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性,将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后,再用成分比为H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的碱性清洗液清洗,由于H2O2的氧化作用和NH4OH的络合作用，许多金属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；然后使用成分比为H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由于H2O2的氧化作用和盐酸的溶解，以及氯离子的络合性，许多金属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。 
 

   举世闻名在一念之间的抓取中。超声波清洗机能如稳如行的站住永久的脚步，就是与“清洗”的斗争、磨合，坚定了自身的步伐。