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等离子清洗机,等离子设备

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首页 > 供应产品 > 智能停车设备等离子表面处理机器
智能停车设备等离子表面处理机器
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品牌: CRF
电源: 380V/AC,50/60Hz, 3kw
中频电源功率: 1000W/40KHz
容量: 10L(Option)
单价: 100000.00元/台
最小起订量: 1 台
供货总量: 100000 台
发货期限: 自买家付款之日起 7 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2021-06-21 14:58
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详细信息
 真空式等离子处理系统CRF-VPO-2L-S
 
名称(Name)
 
真空式等离子处理系统
 
型号(Model)
 
CRF-VPO-2L-S
 
控制系统(Control system)
 
PLC+触摸屏
 
电源(Power supply)
 
380V/AC,50/60Hz, 3kw
 
中频电源功率(RF Power)
 
1000W/40KHz
 
容量(Volume )
 
10L(Option)
 
层数(Electrode of plies )
 
2(Option)
 
腔体规格(Area)
 
220(W)*230(D)*230(H)
 
气体通道(Gas)
 
两路工作气体可选:Ar、N2、CF4、O2
 
产品概述
设备参数
产品特点
超大处理空间,提升处理产能,采用PLC+触摸屏控制系统,精准的控制设备运行;
可按照客户要求定制设备腔体容量和层数,满足客户的需求;保养维修成本低,便于客户成本控制;
高精度,快响应,良好的操控性和兼容性,完善的功能和专业的技术支持。
 
应用范围
真空等离子清洗机适用于印制线路板行业,半导体IC领域、硅胶、塑胶、聚合体领域,汽车电子行业,航空工业等。印制线路板行业:高频板表面活化,多层板表面清洁、去钻污、软板、软硬结合板表面清洁、去钻污,软板补强前活化。半导体IC领域:COB、COG、COF、ACF工艺,用于打线、焊接前的清洗;硅胶、塑胶、聚合体领域硅胶、塑胶、聚合体的表面粗化、刻蚀、活化。

 

plasma等离子清洗机已经成为提高半导体其产量的必要设备
 
工艺技术和应用条件上的区别使得目前市场上的清洗设备也有明(显)的差异化,目前,市场上主要的清洗设备有单晶圆清洗设备、自动清洗台和洗刷机三种。在21世纪致今的跨度上来看,单晶圆清洗设备、自动清洗台、洗刷机是主要的清洗设备。
单晶圆清洗设备一般是指采取旋转喷淋的方式,用化学喷雾对单晶圆进行清洗的设备,相对自动清洗台清洗效率较低,产能较低,但有着极高的制程环境控制能力与微粒去除能力。自动工作站,也称槽式全自动清洗设备,是指在化学浴中同时清洗多个晶圆的设备优点是清洗产能高,适合大批量生产,但无法达到单晶圆清洗设备的清洗精度,很难满足在目前(顶)尖技术下全流程中的参数要求。并且,由于同时清洗多个晶圆,自动清洗台无法避免交叉污染的弊端。洗刷器也是采取旋转喷淋的方式,但配合机械擦拭,有高压和软喷雾等多种可调节模式,用于适合以去离子水清洗的工艺中, 包括锯晶圆、晶圆磨薄、晶圆抛光、研磨、CVD等环节中,尤其是在晶圆抛光后清洗中占有重要地位。
单晶圆清洗设备与自动清洗台在应用环节上没有较大差异,两者的主要区别在于清洗方式和精度上的要求,以45nm为关键分界点。简单而言,自动清洗台是多片同时清洗,的优势在于设备成熟、产能较高,而单晶圆清洗设备是逐片清洗,优势在于清洗精度高,背面、斜面及边缘都能得到有效的清洗,同时避免了晶圆片之间的交叉污染。45nm之前,自动清洗台即可以满足清洗要求,在目前仍然有所应用;而在45以下的工艺节点,则依赖于单晶圆清洗设备达到清洗精度要求。在未来工艺节点不断减小的情况下,单晶圆清洗设备是目前可预测技术下清洗设备的主流。
    等离子清洗机适用于对原料和半成品每一步可能存在的杂质进行清洗,以避免杂质影响产品的质量和下游产品的性能,等离子清洗设备对于单晶硅的生产、光刻、刻蚀、沉积等关键工艺以及封装工艺中的使用情况。
    铜引线框架经等离子清洗机处理后,可除去有(机)物和氧化层,同时活(化)和粗化表面,保证打线和封装的可靠性。引线连接引线采用等离子清洗机能有效地清(除)污垢,使键合区表面粗糙度增大,可明(显)提高引线的粘接力,大大提高封装器件的可靠性。
    倒装片封装技术随着倒装片封装技术的发展,等离子清洗机已经成为提高其产量的必要手段。采用等离子体清洗机处理芯片及封装载板,不仅可获得超纯化的焊面,而且可大大提高焊面活性,有效防止虚焊,减少焊缝空洞,提高焊缝边缘高度和包覆性,提高封装的机械强度,减小由于不同材料热膨胀系数造成的焊缝间的内剪力,提高产品的可靠性和寿命。
    陶瓷封装在陶瓷封装中,常用金属浆的印制线路板作为粘合、封盖的密封区域。电镀前先用等离子清洗机清洗这些材料表面的Ni、Au,可以清(除)有(机)物中的钻污物,显著提高镀层质量。
    晶片光刻胶去除传统的化学湿法去除晶片表面光刻胶存在反应不能准确控制,清洗不彻底,易引入杂质等缺点。等离子清洗机控制能力强,一致性好,不但能完(全)去除光刻胶和其它有(机)物,而且能活(化)、粗化晶片表面,提高晶片表面的浸润性。

 
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